مشخصات
RFP2N10L یک ترانزیستور N-Channel افزایش قدرت silicon-gate است . اثر میدانی این ترانزیستور به طور ویژه برای درایو کردن از یک منبع واقعی ی (5ولت) از برنامه های کاربردی مانند برنامه های قابل برنامه ریزی ؛ سوییچ های متحرک و درایوهای مارپیچ برقی طراحی شده است. این عملکرد از طریق طراحی ی یک gate ویژه ی اکسیدی که انتقال کامل را از یک دریچه ی یک طرفه ی 3-5 ولتی فراهم میکندانجام میگیرد. در نتیجه ی تسهیل صحیح کنترل قدرت on/off جریان واقعی به طور مستقیم ولتاژ عرضه میگردد. |
توضیحات |
قیمت به صورت تکی , قیمت به صورت کلی | قیمت کلی کالا |
. Design optimized lor 5 volt gale drive • Can {8 driven directly from Q-MOS, N-MOS, TTL Circuits • Compatible with automotive drive requirements • SOA is power-dissipation limited • Nanosecond switching speeds • Linear transfer characteristics • High Input impedance • jWa/or/fy carrier device |
مشخصات |
220V | Supply Voltage Max |
180V | Supply Voltage Min |
TO-220 | Transistor Case Style |
درحال بارگزاری