NE3210S01-A

کد کالا :
2
قیمت کلی کالا :
قیمت :
65,000 تومان
تعداد :
وضعیت :
موجود
قیمت به صورت تکی , قیمت به صورت کلی قیمت کلی کالا
ترانزیستور NE3210S01-T1B-A یک ترانزیستور پتیمورفیک FET است که برای اتصال ما بین Si-doped AIGaAs و Undoped InGaAS برای ساخت الکترون هایی با تحرک بسیار زیاد بکار میرود.
این دستگاه دارای گیت هایی شبیه به دمباله های قارچی است که به منظور کاهش مقاومت در ورودی گیت و بهبود توان حرکتی طراحی شده است. شکل فوق العاده کم سر و صدا و افزایش دست آوردهای آن این ترانزیستور را برای DBS و سیستم های تجاری بسیار مناسب می سازد.
تضمین کیفیت و تست های دقیق شرکت NEC دلیلی است برای بالاترین قابلیت اطمینان و عملکرد این ترانزیستور.
توضیحات
Manufacturer:NEC
Product Category:RF JFET Transistors
Gain:13.5 dB
Transistor Polarity:N-Channel
Technology:GaAs
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:4 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 3 V
Id - Continuous Drain Current:70 mA
Maximum Operating Temperature:+ 125 C
Pd - Power Dissipation:165 mW
Package / Case:SO-1
Operating Frequency:12 GHz
Forward Transconductance - Min:55 mS
Gate-Source Cutoff Voltage:2 V
NF - Noise Figure:0.35 dB
مشخصات
درحال بارگزاری

وقتی زندگی چیز زیادی به شما نمی دهد ، دلیلش آن است که شما هم چیز زیادی از او نخواسته اید